瞬态电压抑制器[实用新型专利]
来源：华拓网
专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：瞬态电压抑制器专利类型：实用新型专利
发明人：周源,郭艳华,李明宇,张欣慰申请号：CN201720898028.0申请日：20170721公开号：CN207165571U公开日：20180330
摘要：本实用新型公开了一种瞬态电压抑制器，该瞬态电压抑制器包括半导体衬底；位于所述半导体衬底第一表面上的外延层；隔离区，从所述外延层的表面穿过所述外延层延伸至所述半导体衬底中，用于在所述外延层中限定第一隔离岛和第二隔离岛；掺杂区，在所述第一隔离岛中从所述外延层的表面延伸至所述外延层中；第一电极，用于将所述掺杂区和所述外延层位于所述第二隔离岛的部分彼此电连接。该瞬态电压抑制器在单芯片上通过将一个纵向NPN结构与一个PN结构并联，使其成为单向低箝位电压的瞬态电压抑制器，有利于减小芯片尺寸和降低封装成本。
申请人：北京燕东微电子有限公司
地址：100015 北京市朝阳区东直门外西八间房万红西街2号
国籍：CN
代理机构：北京成创同维知识产权代理有限公司
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