用于光通信的高速响应有机电致发光器件

第３４卷第１期　发　光　学　报　ＣＨＩＮＥＳＥ　ＪＯＵＲＮＡＬ　ＯＦ　ＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ　Ｖｏ１．３４　Ｎｏ．１　２０１３年１月　Ｊａｎ　２０１３　．文章编号：１０００－７０３２（２０１３）０１￣０７３—０５　用于光通信的高速响应有机电致发光器件　林　宏　，周朋超　，王菲菲　，魏　娜　，　童　亮　，王子兴　，魏　斌　（１．上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验窒，上海２０００７２；　２．上海大学材料科学与工程学院，上海２０００７２）　摘要：采用直接光强调制的方法，建立了一种新型有机电致发光器件（ＯＬＥＤ）的光电信号传输体系，研究了　发光层掺杂、发光面积和预置电压对ＯＬＥＤ响应速度的影响。结果发现：与发光层为单独的Ａｌｑ　的器件相比　较，掺杂ｒｕｂｒｅｎｅ的发光层的荧光寿命较短，响应较快；减小ＯＬＥＤ的发光面积能提高ＯＬＥＤ的响应速度，并在　０．０２　ｍｍ　的发光面积上实现了１００　Ｍｂｉｔ／ｓ的信号传输速度；同时，预置直流电压也能改善ＯＬＥＤ的响应速　度。最后，提出将柔性ＯＬＥＤ与聚合物波导及有机光电二极管结合，实现了一种全有机的柔性光电子体系。　关键词：有机发光二极管；光通信；光互连；响应速度；光电转换　文献标识码：Ａ　ＤＯＩ：１０．３７８８／ｆｇｘｂ２０１３３４０１．００７３　中图分类号：ＴＮ２９　Ｆａｓｔ・－ｒｅｓｐｏｎｓｅ　Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ－－ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｅｖｉｃｅｓ　ｆｏｒ　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ　ＬＩＮ　Ｈｏｎｇ　一，ＺＨＯＵ　Ｐｅｎｇ—ｃｈａｏ　，ＷＡＮＧ　Ｆｅｉ—ｆｅｉ　，　ＷＥＩ　Ｎａ　一，ＴＯＮＧ　Ｌｉａｎｇ　，ＷＡＮＧ　Ｚｉ．ｘｉｎｇ　，ＷＥＩ　Ｂｉｎ　（１．Ｋｅｙ　Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ　Ｄ，Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｄｉｓｐｌａｙ　ａｎｄ　Ｓｙｓｔｅｍ　Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ，Ｍｉｎｉｓｔｒｙ　ｏｆＥｄｕｃａｔｉｏｎ，　Ｓｈａｎｇｈａｉ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｓｈａｎｇｈａｉ　２０００７２，Ｃｈｉｎａ；　２．Ｓｃｈｏｏｌ　ｏｆ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｓｈａｎｇｈａｉ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｓｈａｎｇｈａｉ　２０００７２，Ｃｈｉｎａ）　｛Ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ　Ａｕｔｈｏｒ，Ｅ—ｍａｉＺ：ｂｗｅｉ＠ｓｈｕ．ｅｄｕ．ｃａ　Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ａ　ｎｅｗ　ｔｙｐｅ　ｏｆ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｓｉｇｎａｌ　ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　ｓｙｓｔｅｍ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｌｉｇｈｔ—ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｅｖｉｃｅｓ　（ＯＬＥＤ）ｈａｓ　ｂｅｅｎ　ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｄ　ｕｓｉｎｇ　ｄｉｒｅｃｔ　ｌｉｇｈｔ　ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ　ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ　ｍｅｔｈｏｄ．Ｔｈｅ　ｒｅｓｕｌｔｓ　ｓｈｏｗ　ｔｈａｔ　ｔｈｅ　ｒｅｓｐｏｎｓｅ　ｓｐｅｅｄ　ｏｆ　ＯＬＥＤ　ｉｓ　ｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｔｌｙ　ｒｅｌａｔｅｄ　ｔｏ　ｉｔｓ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｌａｙｅｒ，ｌｉｇｈｔ—ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ａｒｅａ　ａｎｄ　ｐｒｅ‘　ｓｅｔ　ｄｉｒｅｃｔ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｖｏｌｔａｇｅ　ｂｉａｓ．Ｔｈｅ　ｒｅｓｐｏｎｓｅ　ｓｐｅｅｄ　ｃａｎ　ｂｅ　ｉｍｐｒｏｖｅｄ　ｂｙ　ｄｏｐｉｎｇ　ｒｕｂｒｅｎｅ　ｉｎ　Ａｌｑ３　ｅｍｉｔ—　ｉｎｇ　ｌｒａｙｅｒ　ｗｉｔｈ　ｓｈｏ￣ｅｒ　ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ　ｌｉｆｅｔｉｍｅ．Ａｎｄ　１００　Ｍｂｉｔ／ｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　ｓｐｅｅｄ　ｈａｓ　ｂｅｅｎ　ｒｅａｌｉｚｅｄ　ｆｒｏｍ　ＯＬＥＤ　ｗｉｔｈ　ａ　０．０２　ｍｍ。ｏｆ　ｌｉｇｈｔ—ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ａｒｅａ．Ｆｉｎａｌｌｙ，ｆｌｅｘｉｂｌｅ　ＯＬＥＤ　ｃｏｍｂｉｎｅｄ　ｗｉｔｈ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ　ｗａｖｅｇｕｉｄｅ　ａｎｄ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｄｉｏｄｅ　ｈａｓ　ｂｅｅｎ　ｐｒｏｐｏｓｅｄ　ｔｏ　ｒｅａｌｉｚｉｎｇ　ｔｈｅ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ　ｓｙｓｔｅｍ．　Ｋｅｙ　ｗｏｒｄｓ：ｏｐｔｉｃａｌ　ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ；ｏｒｇａｎｉｃ　ｌｉｇｈｔ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅ；ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ；ｒｅｓｐｏｎｓｅ　ｓｐｅｅｄ；ｐｈｏｔｅｌｏｅｃｔｒｉｃ　ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ　收稿日期：２０１２—０８　２９：修订日期：２０１２—１１．１２　基金项目：国家自然科学基金（６１１３６００３）；上海市教委重点项目（１２ＺＺ０９１０）资助项目　作者简介：林宏（１９８９一），男，四川安岳人，主要从事有机电致发光器件方面的研究。　Ｅ—ｍａｉｌ：ｌｉｎｈｏ￣ａｇ＠ｓｈｕ．ｅｄｕ．１３１１，Ｔｅｌ：（０２１）５６３３１８４４　第１期　林宏，等：用于光通信的高速响应有机电致发光器件　７５　件，它们的电压与电致发光强度的上升与衰减时　间的关系曲线如图３所示，可以清晰地看到．掺杂　可以明显减小电致发光（ＥＬ）响应的上升及衰减　时间，提高ＯＬＥＤ的响应速度。同时，由于有机材　料的载流子迁移率随电压的升高而增大｜ｌ　，所以　在图３中也可以观察到随着电压的上升，ＥＬ强度　的上升及衰减时间都大大降低．Ｏｈｍｏｉ等＿ｆｌ　］也证　实通过增大电压可以提高ＯＬＥＤ的响应速度。但　是，ＯＬＥＤ通常存在ｒｏｌ１．ｏｆｆ现象，故不适宜采用增　大工作电压的方法提高ＯＬＥＤ响应速度。　图３　发光层掺杂对ＯＬＥＤ的电致发光强度上升时间　（ａ）和衰减时间（ｂ）的影响。　Ｆｉｇ．３　Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ　ｏｆ　ｄｏｐｉｎｇ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｌａｙｅｒ　ｏｎ（ａ）ｒｉｓｅ　ａｎｄ　（ｂ）ｄｅｃａｙ　ｔｉｍｅｓ　ｏｆ　ＥＬ　ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ　ｏｆ　ＯＬＥＤ　此外，Ｋａｊｉｉ等［Ｈ］和Ｆｕｋｕｄａ等［　］还研究了　Ａｌｑ　的荧光寿命，得到掺杂ｒｕｂｒｅｎｅ（０．５％）与非　掺杂Ａｌｑ　薄膜的荧光寿命分别约为１０　ｎｓ和１６　ｎｓ。荧光寿命越短，荧光衰减时间越短，可见在该　器件结构中通过掺杂ｒｕｂｒｅｎｅ的方法可有效提高　ＯＬＥＤ的响应速度。　３．２发光面积对ＯＬＥＤ响应速度的影响　ＯＬＥＤ在真空蒸镀过程中，可以通过改变电　极的大小来调整有效的发光面积，为了观察不同　发光面积对响应速度的影响，制备了发光面积为　０．２　ｍｍ　和１．０　ｍｉｌｌ　的２组器件。　ｆ／ＬＬｓ　图４不同发光面积对ＯＬＥＤ响应速度的影响。（ａ）信　号重复频率与相对灵敏度问的关系；（ｂ）１　ＭＨｚ　调制下信号灵敏度随时间的变化。　Ｆｉｇ．４　Ｅｆｆｅｃｔ　ｏｆ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ａｒｅａ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｒｅｓｐｏｎｓｅ　ｓｐｅｅｄ　ｏｆ　ＯＬＥＤ．（ａ）Ｒｅｐｅｔｉｔｉｏｎ　ｒａｔｅ　ｄｅｐｅｎｄｅｎｃｅ　ｏｆ　ｒｅｌａｔｉｖｅ　ｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ．（ｂ）Ｒｅｌａｔｉｏｎｓｈｉｐ　ｂｅｔｗｅｅｎ　ｔｈｅ　ｔｉｍｅ　ａｎｄ　ｓｉｇｎａｌ　ｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ　ｗｉｔｈ　ｍｏｄｕｌａｔｅ　ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　ｏｆ　１　ＭＨｚ．　由图４（ａ）可以看出，在相同重复频率条件　下，发光面积较小的ＯＬＥＤ其信号灵敏度明显较　高。而在１　ＭＨｚ调制信号作用下，０．２　ｍｎｌ　的　ＯＬＥＤ信号灵敏度也较好，上升时间和衰减时间　均小于１．０　ｍｉＩ１　的ＯＬＥＤ，如图４（ｂ）所示。　由于ＯＬＥＤ器件很薄（通常不足２００　ｎｍ），　导致发光区域两电极问的有机层存在较大电容。　Ｗｅｉ等ｌ１　发现，电容会造成ＯＬＥＤ在脉冲电压下　形成较长的衰减时间，降低ＯＬＥＤ响应速度。减　小ＯＬＥＤ的发光面积．主要是为了降低电容的影　响。为验证发光面积对ＯＬＥＤ响应速度的影响，　我们制备了发光面积为０．０２　ｍｍ　的器件，对比　以上３组不同发光面积器件的信号传输情况，如　图５所示。图中下方为输人波形，上方为经过　ＯＬＥＤ之后的信号波形。　从图５中可以看到，在发光面积为０．０２　ｉｎｎ　的ＯＬＥＤ上得到了１００　Ｍｂｉｔ／ｓ的信号传输速度，　但是波形失真较为严重，需要进一步优化和验证　以得到有效传输。此外，ＯＬＥＤ用作电光转换光　７６　发　光　图５　不同发光面积条件下ＯＬＥＤ的信号传输情况。　（ａ）１．０　ｍｍ　；（ｂ）０．２　ｍｍ　；（ｃ）０．０２　ｍｍ　。　Ｆｉｇ．５　Ｓｉｇｎａｌ　ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　ｏｆ　ＯＬＥＤ　ｗｉｔｈ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ａｒｅａ．（ａ）１．０　ＩＢＩＵ２．（ｂ）０．２　ｎｌｉｎ２．（ｃ）０．０２　ｍｍ２．　源的优势在于其可以制作大面积器件，降低与光　纤耦合时的精度要求从而节约成本，所以不能完　全依赖于通过减小发光面积的方法来提高其响应　速度。　３．３预置电压对ＯＬＥＤ晌应速度的影响　ＯＬＥＤ工作时要克服一定的势垒高度才能将　电子由分子的ＨＯＭＯ能级激发到ＬＵＭＯ能级，即　需要一定电压才会起亮。如图６（ａ）所示，预置６　Ｖ直流电压时的ＯＬＥＤ的亮度大约为６００　ｃｄ／ｍ　，　调制脉冲信号施加时，ＯＬＥＤ可迅速响应并产生　调制光脉冲。如图６（ｂ）所示，在１　ＭＨｚ脉冲信号　调制下，预置６　Ｖ电压的ＯＬＥＤ发光强度的上升　时间明显少于不加偏压的情况。因此，在实际利　学　报　第３４卷　用ＯＬＥＤ作为光通信系统中电光转换器件时，预　置一定的直流电压有利于提高ＯＬＥＤ的响应　速度。　Ａｐｐｌｉｅｄ　ｖｏｈａｇｅ／Ｖ　图６预置偏压对ＯＬＥＤ响应速度的影响。（ａ）电压亮　度关系；（ｂ）不同预置电压下发光强度随时间的　变化。　Ｆｉｇ．６　Ｅｆｆｅｃｔ　ｏｆ　ｂｉａｓ　ｖｏｌｔａｇｅ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｒｅｓｐｏｎｓｅ　ｓｐｅｅｄ　ｏｆ　ＯＬＥＤ．（ａ）Ｖｏｌｔａｇｅ　ｄｅｐｅｎｄｅｎｃｅ　ｏｆ　ｌｕｍｉｎａｎｃｅ．　（ｂ）Ｒｅｌａｔｉｏｎｓｈｉｐ　ｂｅｔｗｅｅｎ　ｔｈｅ　ｔｉｍｅ　ａｎｄ　ｅｍｉｓｓｉｏｎ　ｉｎ—　ｔｅｎｓｉｔｙ　ｕｎｄｅｒ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　ｂｉａｓ　ｖｏｌｔａｇｅ．　３．４柔性集成光电子通信系统　集成光电子结合了光学和微电子学，在光通　信等方面显示出电子学无法比拟的优势。而　ＯＬＥＤ能直接在ＰＥＴ等柔性基板上制备，利用该　图７柔性集成光电子系统示意图　Ｆｉｇ．７　Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ　ｏｆ　ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　ｏｐｔｉｃａｌ—ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ　ｓｙｓｔｅｍ　ｏｎ　ｆｌｅｘｉｂｌｅ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　第１期　林宏．等：用于光通信的高速响应有机电致发光器件　特性可直接将ＯＬＥＤ与聚合物波导以及有机光电二　极管相连，实现全有机的光互连．若同时与微电子器　件集成在同一柔性的印刷电路板上．则可构成柔性　的复合光电子集成体系　，如图７所示。此外，基于　有机光折变聚合物的空间光孤子近年来也引起了研　４　结　论　以ＯＬＥＤ作为光通信系统的电光转换光源，　分别在１．０，０．２，０．０２　ｉｎｎ　的有效发光面积上实　现了２０，５０，１００　Ｍｂｉｔ／ｓ的信号传输速度。讨论了　ＯＬＥＤ发光层掺杂、有效发光面积和预置电压对　ＯＬＥＤ响应速度的影响。结果发现，采用掺杂　ｒｕｂｒｅｎｅ的Ａｌｑ　发光层、减小发光面积和预置电压　究者的广泛关注，若将光孤子传输信号几乎无损的　特点运用在集成光电子系统中．信号传输的可靠性　及稳定性将得到极大提高，不过，形成空间光孤子的　条件比较复杂，这还有待进一步研究。　均能提高ＯＬＥＤ的响应速度。　参考文献：　［１］Ｎａｋａｙａｍａ　Ｔ，Ｈｉｙａｍａ　Ｋ，Ｆｕｒｕｋａｗａ　Ｋ，ｅｔ　ａ１．Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ　ｏｆ　ｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｔ　ｗｈｉｔｅ　ＯＬＥＤ　ｗｉｔｈ　ｅｘｔｒｅｍｅｌｙ　ｈｉｇｈ　ｐｏｗｅｒ　ｅｆｉ—ｆ　ｃｉｅｎｃｙ　ａｎｄ　ｌｏｎｇ　ｌｉｆｅｔｉｍｅ［Ｊ］．ＳＩＤ　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ　Ｄｉｇｅｓｔ　Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　Ｐａｐｅｒｓ，２００７，３８（１）：１０１８—１０２１．　［２］Ｚｈｏｕ　Ｔ　Ｘ，Ｎｇｏ　Ｔ，Ｂｒｏｗｎ　Ｊ　Ｊ，ｅｔ　ａ１．Ｓｔａｂｌｅ　ａｎｄ　ｅｉｃｉｆｅｎｔ　ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｔ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｌｉｇｈｔ—ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｅｖｉｃｅｓ　ｇｒｏｗｎ　ｂｙ　ｏｒ—　ｇａｎｉｃ　ｖａｐｏｒ　ｐｈａｓｅ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ［Ｊ］．Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，２００５，８６（２）：０２１１０７－－１　３．－　［３］Ｍｅｅｒｈｅｉｍ　Ｒ，Ｗａｌｚｅｒ　Ｋ，Ｐｆｅｉｆｅｒ　Ｍ，ｅｔ　ａ１．Ｕｈｒａｓｔａｂｌｅ　ａｎｄ　ｅｉｃｉｆｅｎｔ　ｒｅｄ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｌｉｇｈｔ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅｓ　ｗｉｔｈ　ｄｏｐｅｄ　ｔｒａｎｓｐｏｒｔ　ｌａｙｅｒｓ［Ｊ］．Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，２００６，８９（６）：０６１１１１－１—３．　［４］Ｋｉｄｏ　Ｊ，Ｍａｔｓｕｍｏｔｏ　Ｔ．Ｂｒｉｇｈｔ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ　ｄｅｖｉｃｅｓ　ｈａｖｉｎｇ　ａ　ｍｅｔａｌ—ｄｏｐｅｄ　ｅｌｅｃｔｒｏｎ－ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ　ｌａｙｅｒ［Ｊ］．Ａｐｐ１．　Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，１９９８，７３（２０）：２８６６－２８６８．　［５］Ｐａｒｋｅｒ　Ｉ　Ｄ．Ｃａｒｒｉｅｒ　ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ　ａｎｄ　ｄｅｖｉｃｅ　ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ　ｉｎ　ｐｏｌｙｍｅｒ　ｌｉｇｈｔ—ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅｓ［Ｊ］．　Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ．，１９９４，７５　（３）：１６５６—１６６６．　［６］Ｉｃｈｉｋａｗａ　Ｍ，Ｋａｗａｇｕｃｈｉ　Ｔ，Ｋｏｂａｙａｓｈｉ　Ｋ，ｅｔ　ａ１．Ｂｉｐｙｒｉｄｙｌ　ｏｘａｄｉａｚｏｌｅｓ　ａｓ　ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ　ａｎｄ　ｄｕｒａｂｌｅ　ｅｌｅｃｔｒｏｎ—ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ　ａｎｄ　ｈｏｌｅ—ｂｌｏｃｋｉｎｇ　ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　ｍａｔｅｒｉａｌｓ［Ｊ］．　Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．，２００６，１６（２）：２２１—２２５．　［７］Ｗａｎｇ　Ｚ　Ｂ，Ｈｅｌａｎｄｅｒ　Ｍ　Ｇ，Ｑｉｕ　Ｊ，ｅｔ　ａＬ　Ｕｎｌｏｃｋｉｎｇ　ｔｈｅ　ｆｕｌｌ　ｐｏｔｅｎｔｉａｌ　ｏｆ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｌｉｇｈｔ—ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅｓ　ｏｎ　ｆｌｅｘｉｂｌｅ　ｐｌａｓｔｉｃ　［Ｊ］．Ｎａｔ．Ｐｈｏｔｏｎ．，２０１１，５（１２）：７５３－７５７．　［８］Ｆｕｋｕｄａ　Ｔ，Ｏｋａｄａ　Ｔ，Ｗｅｉ　Ｂ，ｅｔ　ａ１．Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ　ｏｆ　ｃａｒｒｉｅｒ—ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ　ｅｆｉｃｉｆｅｎｃｙ　ｏｎ　ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ　ｒａｔｅ　ｏｆ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｌｉｇｈｔ　ｓｏｕｒｃｅ［Ｊ］．　Ｏｐｔ．Ｌｅｔｔ．，２００７，３２（１３）：１９０５—１９０７．　［９］Ｏｈｍｏｒｉ　Ｙ．Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ　ｏｆ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｌｉｇｈｔ—ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅｓ　ｆｏｒ　ｅｌｅｃｔｒｏ—ｏｐｔｉｃａｌ　ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　ｄｅｖｉｃｅｓ［Ｊ］．Ｌａｓｅｒ＆Ｐｈｏｔｏｎ．Ｒｅｖ．，　２０１０，４（２）：３００—３１０．　［１　０］Ｇｕｓｔａｆｓｓｏｎ　Ｇ，Ｃａｏ　Ｙ，Ｔｒｅａｃｙ　Ｇ　Ｍ，ｅｔ　ａ１．Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　ｌｉｇｈｔ—ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅｓ　ｍａｄｅ　ｆｒｏｍ　ｓｏｌｕｂｌｅ　ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｐｏｌｙｍｅｒｓ［Ｊ］．　Ｎａｔｕｒｅ，１９９２，３５７（６３７８）：４７７－４７９．　［１　１］Ｆｕｋｕｄａ　Ｔ，Ｔａｎｉｇｕｃｈｉ　Ｙ．Ｆａｓｔ　ｒｅｓｐｏｎｓｅ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｌｉｇｈｔ・ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅ　ｏｒｆ　ｖｉｓｉｂｌｅ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ［Ｊ］．ＳＰＩＥ，２００８，　６８９９：６８９９０Ｋ一１—１３．　［１　２］Ｂｏｏｋ　Ｋ，Ｂａｓｓｌｅｒ　Ｈ，Ｎｉｋｉｔｅｎｋｏ　Ｖ　Ｒ，ｅｔ　ａ１．Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ　ｂｅｈａｖｉｏｕｒ　ｏｆ　ｃｈａｒｇｅ　ｃａｒｒｉｅｒｓ　ｉｎ　ｍｕｈｉｌａｙｅｒ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｌｉｇｈｔ—ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅｓ：ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔ　ａｎｄ　ｔｈｅｏｒｙ［Ｊ］．Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．，２０００，１　１　１／１　１２：２６３—２６７．　［１　３］Ｋｉｍ　Ｊ　Ｓ，Ｋａｊｉｉ　Ｈ，Ｏｈｍｏｒｉ　Ｙ．Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ　ｏｆ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｒｅｓｐｏｎｓｅ　ｉｎ　ｒｅｄ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｌｉｇｈｔ—ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅｓ　ｕｓｉｎｇ　ｔｗｏ　ｄｏｐａｎｔ　ｓｙｓ—　ｔｅｒｎ　ｆｏｒ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　ｔｏ　ｔｈｅ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｌｉｎｋ　ｄｅｖｉｃｅｓ［Ｊ］．Ｔｈｉｎ　Ｓｏｌｉｄ　Ｆｉｌｍｓ，２００６，４９９（１／２）：３４３—３４８．　［１４］Ｋａｊｉｉ　Ｈ，Ｔｓｕｋａｇａｗａ　Ｔ，Ｔａｎｅｄａ　Ｔ，ｅｔ　ａ１．Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ　ｐｒｏｐｅ￣ｉｅｓ　ｏｆ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ　ｄｉｏｄｅ　ｕｓｉｎｇ　８－ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ　ａｌｕｍｉｎｕｍ　ｄｏｐｅｄ　ｗｉｔｈ　ｒｕｂｒｅｎｅ　ａｓ　ａｌｌ　ｅｌｅｃｔｒｏ—ｏｐｔｉｃａｌ　ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ　ｄｅｖｉｃｅ　ｏｒｆ　ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ　ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　ｄｅｖｉｃｅｓ［Ｊ　Ｊ．Ｊｐｎ．．，．Ａｐｐ１．　Ｐｈｙｓ．，２００２，４１（４Ｂ）：２７４６－２７４７．　［１　５］Ｆｕｋｕｄａ　Ｔ，Ｏｋａｄａ　Ｔ，Ｗｅｉ　Ｂ，ｅｔ　ａ１．Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ　ｐｒｏｐｅ￣ｙ　ｏｆ　ｏｐｔｉｃａｌｌｙ　ｐｕｍｐｅｄ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｉｆｌｍ　ｏｆ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ　ｌｉｆｅｔｉｍｅｓ　［Ｊ］．Ａｐｐ１．　．Ｌｅｔｔ．，２００７，９０（２３）：２３１１０５—１　３．　［１　６］Ｗｅｉ　Ｂ，Ｋｅｎｊｉ　Ｆ，Ａｍａｇａｉ　Ｊ，ｅｔ　ａ１．Ａ　ｄｙｎａｍｉｃ　ｍｏｄｅｌ　ｆｏｒ　ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ　ａｎｄ　ｔｒａｎｓｐｏｒｔ　ｏｆ　ｃｈａｒｇｅ　ｃａｒｒｉｅｒｓ　ｉｎ　ｐｕｌｓｅｄ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｌｉｇｈｔ—　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅｓ［Ｊ］．Ｓｅｍｉｃｏｎｄ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏ１．，２００４，１９（５）：Ｌ５６一Ｉ５９．　［１　７］Ｋａｊｉｉ　Ｈ，Ｔｓｕｋａｇａｗａ　Ｔ，Ｔａｎｅｄａ　Ｔ，ｅｔ　ａ１．Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｌｉｇｈｔ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　ｔｈｅ　Ａｌｑ３　ｅｍｉｓｓｉｖｅ　ｌａｙｅｒ　ｔｏ　ｔｈｅ　ｅｌｅｃｔｒｏ—ｏｐｔｉｃａｌ　ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ　ｄｅｖｉｃｅ［Ｊ］．ＩＥＩＣＥ　Ｔｒａｎｓ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．，２００２，Ｅ８５一Ｃ（６）：１２４５—１２４６．