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普通晶闸管 可控硅模块 MTA25A1600V

来源:华拓网
MTA25A特点

1). 芯片与底板电气绝缘,2500V交流电压2). 全压接结构,优良的温度特性和功率循环能力3). 体积小,重量轻

典型应用

1). 交直流电机控制2). 各种整流电源3). 变频器

IT(AV)

VDRM/VRRMITSMI2t

25A600~1800V0.55 A×1031.5 A2S*103

主要参数

符号IT(AV)IT(RMS)VDRMVRRMIDRMIRRMITSMItVTOrTVTMdv/dtdi/dtIGTVGTIHVGDRth(j-c)Rth(c-h)VisoFmTstgWtSize2参数通态平均电流方均根电流断态重复峰值电压反向重复峰值电压断态重复峰值电流反向重复峰值电流通态不重复浪涌电流浪涌电流平方时间积门槛电压斜率电阻通态峰值电压断态电压临界上升率通态电流临界上升率门极触发电流门极触发电压维持电流门极不触发电压热阻抗(结至壳)热阻抗(壳至散)绝缘电压安装扭矩(M5)安装扭矩(M6)贮存温度质量包装盒尺寸测试条件180°正弦半波,50Hz单面散热,Tc=85℃VDRM&VRRM tp=10msVDSM&VRSM= VDRM&VRRM+200VVDM= VDRMVRM= VRRM10ms 正弦半波VR=0.6VRRM结温Tj(℃)125125125125125125600最小参数值典型最大2541180080.551.500.859.681.6980050301002.51500.9500.2250046-40125100单位AAVmAKAAs*103VmΩVV/μsA/μsmAVmAV℃ /W℃ /WVN·mN·m℃gmm2ITM=80AVDM=67%VDRMITM =52A, 门极触发电流幅值IGM=1.5A,门极上升时间tr≤0.5μsVA=12V, IA=1AAt 67%VDRM180°正弦波, 单面散热180°正弦波, 单面散热50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(MAX)25125125251250.8200.2外形为101F210×113×42(10只装)普通晶闸管、可控硅模块 1 / 3

MTA25A性能曲线图

PeakOn-state Voltage07&󰀕󰀙Vs.PeakOn-stateCurrent󰀗󰀑󰀖󰀖󰀑󰀛󰀖󰀑󰀖䗮󱗕󱋄󰘐⬉󰥟VTM,VMax. junctionTocaseThermai Impedance Vs.Time󰀓󰀑󰀜󰀘󰀔󰀓󰀑󰀜TJ=125eCⶀ󱗕⛁䰏󱡫Zth,eC/W󰀓󰀑󰀛󰀓󰀑󰀚󰀓󰀑󰀙󰀓󰀑󰀘󰀓󰀑󰀗󰀓󰀑󰀖󰀓󰀑󰀕󰀓󰀑󰀔󰀕󰀑󰀛󰀕󰀑󰀖󰀔󰀑󰀛󰀔󰀑󰀖󰀓󰀑󰀛󰀔󰀓󰀔󰀓󰀓䗮󱗕󱋄󰘐⬉⌕ITM,A󰀔󰀓󰀓󰀓󰀓󰀓󰀑󰀓󰀓󰀔󰀓󰀑󰀓󰀔󰀓󰀑󰀔󱯊䯈t,S󰀔󰀔󰀓Fig.1䗮󱗕ӣ󱅝⡍󱗻󱳆㒓07&󰀕󰀙Max. PowerDissipation Vs.MeanOn-stateCurrent󰀛󰀓󰀚󰀓󱳔󰻻䗮󱗕󰡳㗫PT(AV),(max),WFig.2㒧㟇ㅵ󰻇ⶀ󱗕⛁䰏󱡫󱳆㒓Max. caseTemperature Vs.MeanOn-stateCurrent07&󰀕󰀙󰀔󰀗󰀓󰀔󰀛󰀓󰀔󰀕󰀓ㅵ󰻇⏽󱑺Tc(max),eC󰀓󰀙󰀓󰀘󰀓󰀗󰀓󰀖󰀓󰀕󰀓󰀔󰀓󰀓󰀓󰀓󰀔󰀛󰀓󰀔󰀕󰀓󰀙󰀓󰀜󰀓󰀔󰀛󰀓ConductionAngle󰀔󰀓󰀓󰀛󰀓󰀙󰀓󰀗󰀓󰀕󰀓󰀓󰀖󰀓󰀙󰀓ConductionAngle󰀖󰀓󰀜󰀓󰀔󰀕󰀓󰀔󰀛󰀓󰀔󰀓󰀕󰀓󰀖󰀓󰀗󰀓󰀓󰀔󰀓󰀕󰀓󰀖󰀓󰀗󰀓󰀘󰀓䗮󱗕󱑇󰴛⬉⌕IT(AV),A䗮󱗕󱑇󰴛⬉⌕IT(AV),AFig.3󱳔󰻻󰡳㗫Ϣ󱑇󰴛⬉⌕󰝇㋏󱳆㒓Max. PowerDissipation07&󰀕󰀙Vs.MeanOn-stateCurrent󰀙󰀓󰀘󰀓󰀗󰀓󰀖󰀓󰀖󰀓󰀕󰀓󰀔󰀓󰀓󰀓󰀘󰀔󰀓󰀔󰀘󰀕󰀓󰀕󰀘󰀖󰀓䗮󱗕󱑇󰴛⬉⌕IT(AV),A󰀖󰀘󰀗󰀓󰀗󰀘360Fig.4ㅵ󰻇⏽󱑺Ϣ䗮󱗕󱑇󰴛⬉⌕󰝇㋏󱳆㒓Max. caseTemperature Vs.MeanOn-stateCurrent07&󰀕󰀙󰀔󰀗󰀓360󱳔󰻻䗮󱗕󰡳㗫PT(AV)(max),W󰀔󰀛󰀓󰀔󰀕󰀓󰀜󰀓󰀕󰀚󰀓'&ㅵ󰻇⏽󱑺Tc(max),eC󰀔󰀕󰀓󰀔󰀓󰀓󰀛󰀓󰀙󰀓󰀗󰀓󰀕󰀓󰀖󰀓󰀓󰀓󰀕󰀓󰀗󰀓䗮󱗕󱑇󰴛⬉⌕IT(AV),A󰀙󰀓󰀜󰀓ConductionAngleConductionAngle󰀙󰀓󰀔󰀕󰀓󰀔󰀛󰀓󰀕󰀚󰀓'&󰀙󰀓󰀛󰀓Fig.5󱳔󰻻󰡳㗫Ϣ󱑇󰴛⬉⌕󰝇㋏󱳆㒓SurgeCurrent Vs.Cycles0.55Fig.6ㅵ󰻇⏽󱑺Ϣ䗮󱗕󱑇󰴛⬉⌕󰝇㋏󱳆㒓0.55I1.5t Vs.Time1.61.42󰀓󰀑󰀙󰀓󰀑󰀘⬉⌕󱑇󱮍󱯊䯈⿃I2t,103A2S䗮󱗕⌾⍠⬉⌕ITSM,KA󰀓󰀑󰀗1.21󰀓󰀑󰀖0.80.6󰀓󰀑󰀕󰀓󰀑󰀔󰀔󰀔󰀓󰀔󰀓󰀓0.4普通晶闸管、可控硅模块 2 / 3

MTA25AGatecharacteristicat 25eCjunction temperature󰀔󰀛󰀔󰀙󰀔󰀗䮼󱵕⬉󰥟,VGTˈV󰀔󰀕󰀔󰀓󰀛󰀙󰀗󰀕󰀓󰀓󰀗󰀛󰀔󰀕󰀔󰀙󰀕󰀓䮼󱵕⬉⌕,IGTˈA3*󰀕:PLQ󰀑PD[󰀑䮼󱵕㾺󰦥⬉󰥟,VGTˈV3*0 󰀔󰀓󰀓:󰀋󰀔󰀓󰀓­V㛝󱆑󰀌󰀗󰀖󰀑󰀘󰀖󰀕󰀑󰀘󰀕󰀔󰀑󰀘󰀔󰀓󰀑󰀘󰀓󰀓GateTriggerZoneat varies temperature󰀕󰀑󰀘9󰀏󰀔󰀓󰀓0$-30eC-10eC25eC125eC󰀘󰀓󰀔󰀓󰀓󰀔󰀘󰀓󰀕󰀓󰀓䮼󱵕㾺󰦥⬉⌕,IGTˈmAFig.9 䮼󱵕󰡳⥛󱳆㒓Fig.10 䮼󱵕㾺󰦥⡍󱗻󱳆㒓

外形尺寸图

101F

乐清市柳晶整流器有限公司(编)

普通晶闸管、可控硅模块

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