专利名称：制造多晶硅的反应器和去除所述反应器的部件上的
含硅层的方法
专利类型：发明专利发明人：D·韦克塞尔
申请号：CN201480028137.6申请日：20140506公开号：CN105229198A公开日：20160106
摘要：本发明涉及一种去除制造多晶硅的反应器的部件上的含硅层的方法，其特征在于通过含硅颗粒机械地去除所述层，并且还涉及一种用于制造多晶硅的反应器，其包括用于含硅颗粒的供料装置，所述供料装置适用于将反应器废气和含硅颗粒供给至废气热交换器。
申请人：瓦克化学股份公司
地址：德国慕尼黑
国籍：DE
代理机构：永新专利商标代理有限公司
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