（12）发明专利说明书
（21）申请号 CN201510672144.6 （22）申请日 2015.10.15
（71）申请人 上海新昇半导体科技有限公司
地址 201306 上海市浦东新区泥城镇云端路1412弄15号3层
（10）申请公布号 CN106591944B
（43）申请公布日 2018.08.24
（72）发明人 肖德元;张汝京
（74）专利代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 金华
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
单晶硅锭及晶圆的形成方法
（57）摘要
本发明提出了一种单晶硅及晶圆的形
成方法，先对硅片进行氘原子的注入，使氘原子保留在硅片间隙内，接着，在采用直拉法形成单晶硅锭时，使用被注入氘原子的硅片，使形成的单晶硅锭中氧含量和其它杂质降低，采用单晶硅锭形成晶圆后，在晶圆上形成的器件时，氘能够扩散出，并与界面处等悬空键进行结合，形成较为稳定的结构，从而避免热载流子的穿透，降低漏电流，提高器件的性能与可靠性。 法律状态
法律状态公告日
2017-04-26 2017-04-26 2017-05-24 2017-05-24 2018-08-24
公开 公开
法律状态信息
公开 公开
法律状态
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
权利要求说明书
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说明书
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