专利名称:表面处理装置专利类型:发明专利
发明人:本多稔,野中龙,光冈一行申请号:CN200410037297.5申请日:20040430公开号:CN1550903A公开日:20041201
摘要:本发明提供一种表面处理装置,它可降低电子束能量,同时,可使结构简单化。表面处理装置1,包括在真空室2内部大致水平地放置半导体晶片W的载置台3、设置在真空室2顶部并且对半导体晶片W照射电子束的电子束照射机构6、和设置在载置台3和电子束照射机构6之间的自电场发生装置13。该自电场发生装置13由多个与电子束照射机构6的照射窗6b一一对应地配置的带电板13a构成,该带电板13a为平板状,在与照射窗6b相对的平面上具有通过电子束的5个狭缝13b,同时,还具有由导体构成的内部部件13c、由覆盖该内部部件13c的绝缘体构成的外部部件13d和将内部部件13c接地的导线13e。
申请人:东京毅力科创株式会社
地址:日本东京都
国籍:JP
代理机构:北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人:龙淳
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