半导体装置[实用新型专利]
来源：华拓网
专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：半导体装置专利类型：实用新型专利
发明人：中田洋辅,石原三纪夫,川濑达也,井本裕儿,浅田晋助,
藤野纯司
申请号：CN201490001567.4申请日：20141030公开号：CN207038515U公开日：20180223
摘要：本实用新型提供一种焊锡接合结构的半导体装置，既能实现与外部电极的通电性的提高又能实现装置的高可靠性。而且，在本实用新型中，半导体元件上焊锡(21)从表面电极(11)的焊锡接合区域(R11h)至外部电极(31)的焊锡接合区域(R31h)来形成。外部电极(31)具有比其他区域向表面电极(11)的表面侧突出的下垂部(31a)。半导体元件上焊锡(21)具有包括倒圆角(F1)和倒圆角(F2)的端面形状，其中，倒圆角(F1)从表面电极(11)的表面至上方朝向焊锡中心点的方向弯曲；倒圆角(F2)从外部电极(31)的表面至下方朝向焊锡中心点的方向弯曲。
申请人：三菱电机株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙)
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