一种垂直结构发光二极管芯片的制造方法[发明专利]

来源：华拓网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种垂直结构发光二极管芯片的制造方法专利类型：发明专利

发明人：张楠,齐胜利,潘尧波,郝茂盛申请号：CN201010584445.0申请日：20101210公开号：CN102569537A公开日：20120711

摘要：本发明公开了一种垂直结构发光二极管芯片的制造方法，首先在生长衬底上依次生长出N型半导体层、有源层及P型半导体层，以形成芯片外延结构；在P型半导体层上制作电流扩散层、P反射镜及P键合层；腐蚀单晶Si片形成具有规则图形化表面的Si转移衬底；并在其规则图形化表面制作金属键合层与所述P键合层键合；剥离所述生长衬底制作N电极，并在所述Si转移衬底的另一面制作P电极。本发明的工艺方法能够使Si转移衬底与金属键合层的接触面积增大，从而提高键合的粘附性，有利于垂直结构LED芯片良品率的提高；且Si转移衬底与金属键合层界面具有均匀稳定的电学特性，有利于芯片电流的均匀分布。

申请人：上海蓝光科技有限公司

地址：201210 上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号

国籍：CN

代理机构：上海光华专利事务所

代理人：李仪萍

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