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9013_ZHONGWEN

来源:华拓网
9013NPN SILICON TRANSISTOR TO92 FEATURES

特 征

1.EMITTER Power dissipation Collector current Collector-base voltage

发 射 极最大耗散功率

2.BASE PCM : 0.625 W ICM : 0.5 A

Tamb=25

基 极3.COLLECTOR 最大集电极电流

集电极--基极击穿电压

1 2 3 集 电 极 V(BR)CBO : 45 V

ELECTRICAL CHARACTERISTICS 电 特 性

Parameter 参 数

Collector-base breakdown voltage集 电 极 - - 基 极 击 穿 电 压 Collector-emitter breakdown voltage集 电 极 - - 发 射 极 击 穿 电 压 Emitter-base breakdown voltage发 射 极 - - 基 极 击 穿 电 压 Collector cut-off current集 电 极 -- 基 极 截 止 电 流 Collector cut-off current集 电 极 - -发 射 极 截 止 电 流 Emitter cut-off current发 射 极 - -基 极 截 止 电 流

Tamb=25

Symbol

符 号

unless otherwise specified

Test conditions 测 试 条 件

MIN最小值

TYP典型值

MAX最大值

UNIT 单位

环境温度 除 非 另 有 规 定

V(BR)CBOV(BR)CEOV(BR)EBO ICBO ICEO IEBOHFEHFE

1

Ic= 100

A IE=0

IB=0

45255

0.10.10.1

6440

0.61.21.4300

V VVAAA

Ic= 0. 1 mAIE= 100

A IC=0

VCB= 40 V IE=0VCE= 20 V IB=0VEB= 5 V IC=0VCE= 1 V, IC= 50 mAVCE= 1V, IC =500 mAIC= 500 mA, IB=50 mAIC= 500mA, IB= 50 mAIE=100mA

VCE= 6 V, IC= 20 mA

DC current gain(note)

直 流 电 流 增 益

2

Collector-emitter saturation voltage集 电 极 - - 发 射 极 饱 和 压 降 Base-emitter saturation voltage基极--发射极饱和压降Base-emitter voltage基极 -- 发射极正向电压

VCE(sat)VBE(sat)VBE

V V V

Transition frequency特 征 频 率

fT

f =30MHz

150MHz

CLASSIFICATION OF HFE(1) 分类

Rank 档次 Range 范围

D64-91

E78-112

F96-135

G112-166

H144-220

I190-300

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