２０１３正 仪表技术与传感器 ２０１３ 第３期 Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ ａｎｄ Ｓｅｎｓｏｒ Ｎｏ．３ 用于光气动探测的微流量传感器 赵永翠，何秀丽，赵玲，李建平，高晓光，贾建 （中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室，北京１００１９０） 摘要：针对气体红外吸收的气动探测应用，设计了基于ＭＥＭＳ技术的Ｓａｎｄｗｉｃｈ结构硅基微流量传感器。在１ ｍｍ 面 积内制备了阻值约１．６ ｋｆｌ的蛇形Ｐｔ薄膜作为加热及测温电阻，其电阻一温度系数（ＴＣＲ）约２．２×１０ ／ｃｃ．Ｐｔ薄膜采用 ４ ｍ厚氮化硅悬梁作支撑，在１２５℃工作温度下功耗约４４ ｍｗ．研究了Ｐｔ薄膜电阻对的间距以及工作温度对微流量传感 器性能的影响，并将其用于ＣＯ 气体检测。在０—１ ｍＬ／ｍｉｎ的测试范围内，该微流量传感器输出信号与气体流量成线性 关系，理论检测下限约８．５ ｐ￣Ｌ／ｍｉｎ，可用于气体红外吸收的气动探测。 关键词：非分光红外；光气动探测；微流量传感器 中图分类号：ＴＰ２１２ 文献标识码：Ａ 文章编号：１００２—１８４１（２０１３）０３—０００１—０３ Ｍｉｃｒｏ－－ｌｆｏｗ Ｓｅｎｓｏｒ ｆｏｒ Ｏｐｔｏ－ｐｎｅｕｍａｔｉｃ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ ＺＨＡＯ Ｙｏｎｇ－ｃｕｉ，ＨＥ Ｘｉｕ－ｌｉ，ＺＨＡＯ Ｌｉｎｇ，ＬＩ Ｊｉａｎ—ｐｉｎｇ，ＧＡＯ Ｘｉａｏ—ｇｕａｎｇ，ＪＩＡ Ｊｉａｎ （Ｓｔａｔｅ Ｋｅｙ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ ｏｆ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，Ｃｈｉｎｅｓｅ Ａｃａｄｅｍｙ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｃｅ，Ｂｅｉｊｉｎｇ １００１９０，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ａ ｓｉｌｉｃｏｎ—ｂａｓｅｄ ｍｉｃｒｏ—ｆｌｏｗ ｓｅｎｓｏｒ ｗｉｔｈ Ｓａｎｄｗｉｃｈ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｗａｓ ｄｅｓｉｇｎｅｄ ａｃｃｏｒｄｉｎｇ ｔｏ ｔｈｅ ｍｅｃｈａｎｉｓｍ ｏｆ ｏｐｔｏ—ｐｎｅｕ－ ｍａｔｉｃ ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ ａｎｄ ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ ｂｙ ｍｉｃｒｏ—ｅｌｅｃｔｒｏ—ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｓｙｓｔｅｍ（ＭＥＭＳ）ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ．Ａ ｓｎａｋｙ ｐｌａｔｉｎｕｍ ｉｆｌｍ ｒｅｓｉｓｔｏｒ ｏｆ １．６ ｋｆｔ ｗｉｔｈ ｔｈｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ ｒｅｓｉｓｔｎａｃｅ ｏｆ ２．２×１０～／ｏＣ ｗａｓ ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ ａｓ ｔｈｅ ｈｅａｔｅｒ ａｎｄ ｔｈｅ ｔｈｅｒｍｏｍｅｔｅｒ．Ｔｈｅ ｐｌａｔｉｎｕｍ ｉｆｌｍ ｗａｓ ｓｕｐｐｏａｅｄ ｂｙ ｂｅａｍｓ ｏｆ ４ ｍ ｓｉｌｉｃｏｎ ｎｉｔｒｉｄｅ ａｎｄ ｔｈｅ ｐｏｗｅｒ ｃｏｎｓｕｍｐｔｉｏｎ ｉｓ ４４ ｍＷ ａｔ ｔｈｅ ｏｐｅｒａｔｉｎｇ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｏｆ １２５ ｏＣ． Ｔｈｅ ｅｆｆｅｃｔｓ ｏｆ ｔｈｅ ｓｐａｃｅ ｂｅｔｗｅｅｎ ｔｗｏ ｐｌａｔｉｎｕｍ ｒｅｓｉｓｔｏｒｓ ａｎｄ ｔｈｅ ｗｏｒｋｉｎｇ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｏｎ ｔｈｅ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ｔｈｅ ｍｉｃｒｏ—ｆｌｏｗ ｓｅｎｓｏｒ ｗｅｒｅ ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｄ ａｎｄ ｔｈｅ ｓｅｎｓｏｒ ｗａｓ ａｐｐｌｉｅｄ ｆｏｒ ＣＯ２ ｇａｓ ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ．Ｔｈｅ ｄｅｖｅｌｏｐｅｄ ｍｉｃｒｏ—ｆｌｏｗ ｓｅｎｏｒ ｅｘｈｉｂｉｔｓ ｌｉｎｅａｒ ｒｅｌａｔｉｏｎｓｈｉｐ ｂｅｔｗｅｅｎ ｓｉｎｇａｌ ａｎｄ ｇａｓ ｆｌｏｗ ｗｉｔｈ ｔｈｅ ｆｌｏｗ ｒａｎｇｅ ｆｒｏｍ ０ ｔｏ １ ｍＬ／ｍｉｎ ａｎｄ ｔｈｅ ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ ｌｉｍｉｔ ｉｓ ａｂｏｕｔ ８．５ ｉ￣Ｌ／ｍｉｎ，ｗｈｉｃｈ ａｒｅ ｓｕｉｔａｂｌｅ ｆｏｒ ｏｐ— ｔｏ・ｐｎｅｕｍａｔｉｃ ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ ｆｏｒ ｉｎｆｒａｒｅｄ ｇａｓ ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ． Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ：ＮＤＩＲ；ｏｐｔｏ—ｐｎｅｕｍａｔｉｃ ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ；ｍｉｃｒｏ－ｌｆｏｗ ｓｅｎｓｏｒ ０引言 等制备了ＭＥＭＳ硅基微流量传感器，检测限在ｍＬ／ｍｉｎ量级，但 非分光红外（ＮＤＩＲ）气体检测系统具有灵敏度高、稳定性 未见相关气体检测报导 。西门子和爱默生公司均有以微流 好、抗干扰能力强等优点，被广泛应用于环境气体检测、工业废 探测器为核心器件的ＮＤＩＲ气体分析仪，但未见微流量传感器 气以及尾气排放监测等领域。ＮＤＩＲ气体检测技术的原理是朗 的相关报导。目前，微流量传感器产品受检测精度的制约无法 伯一比尔（Ｌａｍｂｅｒｔ—Ｂｅｅｒ）定律。当脉冲红外光入射到样品气 用于ＮＤＩＲ气体检测。 室，经待测气体吸收后，由探测器检测因吸收引起的特定波长 文中设计制备了基于ＭＥＭＳ技术的硅基微流量传感器，测 光强变化，进而确定待测气体浓度。 试了Ｐｔ薄膜的电阻温度系数及功耗，分析了Ｐｔ薄膜电阻对问 探测器是ＮＤＩＲ气体检测系统的核心。检测密封腔室内的 距及工作温度对气流响应灵敏度的影响，并尝试了在气体红外 气体在吸收调制的红外光后产生的压力变化或微小气体流动 吸收气动探测方面的应用。 的探测器称为光气动探测器，包括光声探测器和微流探测器。 １微流探测原理及微流量传感器设计 微流探测器检测精度高、检测限低、受振动影响小，是常用的光 气体红外吸收的微流探测原理如图１所示。ＮＤＩＲ气体探 气动探测器” 。微流量传感器是微流探测器的核心器件。 测系统包括红外光源、样品气室和微流探测器３部分。微流探 虽然微流量传感器种类很多，但用于微流探测器的多为热式传 测器由微流量传感器以及通过微流通道连接的前后两个吸收 感器，通过两个温敏电阻测量由于气体流动引起的温度差异来 腔室组成，腔室内充有高浓度待测气体。当以一定频率调制的 确定气流大小。热式微流量传感器在低流量时线性度较好，灵 红外光照射到微流探测器时，前后腔室中气体因吸收的红外辐 敏度较高，适合微小流量检测，其理论检测限可达０．１ ｎＬ／ｓ 射强度不同而产生周期性压力差，从而导致气体的微小流动， Ｉ９ Ｊ．２０世纪９０年代后，由于微加工工艺和微电子工艺的逐步 气流大小同入射红外光强有关。置于前后腔室之间的微流量 成熟，基于ＭＥＭＳ技术的热式流量传感器成为主流，报导的检 传感器通过探测气流大小而实现对入射红外光强度的探测，从 测分辨率可达ＩｘＬ／ｍｉｎ量级 …。针对红外气动探测，Ｋ．Ｊａｓｅｋ 而可计算出样品气室中待测气体的浓度。 基金项目：国家高技术研究发展计划资助项目（２００９ＡＡ０４Ｚ３２８） 根据气体红外吸收的微流探测原理，考虑到气体在前后腔 收稿日期：２０１２—０４—０６收修改稿日期：２０１２—１２—１０ 室的流动特性，设计了如图２（ａ）所示的“Ｓａｎｄｗｉｃｈ”结构硅基微 第３期 赵永翠等：用于光气动探测的微流量传感器 ３ 流量，通入１ ｍＬ／ｍｉｎ的Ｎ：，对不同电阻间距的微流传感器进行 微流量传感器灵敏度结果如图６所示。当间距恒定时，工作温 度越高传感器灵敏度越大。当工作温度恒定时，电阻间距对传 微流探测器信号变化量为响应值，得到如图８（ｂ）所示的探测 ＣＯ 的响应值分别约为２．２ ｍＶ和７ ｍＶ，检测范围内响应值同 气体浓度成线性关系。 性能测试。设定间距分别为１００ ｔｘｍ、２００ ｍ和３００ ｍ，所得 ０ 器响应值同ＣＯ２浓度关系曲线。系统对７００ ｐｐｍ和５ ０００ ｐｐｍ 踟∞∞∞∞踟∞∞ 感器灵敏度有影响，间距为１００ ｍ时传感器的灵敏度最低，间 距为２００ ｍ和３００ ｍ时传感器的灵敏度相近，并且在不同工 作温度点规律相同。以下测试选取电阻间距为３００ Ｉｘｍ． ｝ ｌ置 二 邑 ≥ 富 埘 藉 ７０ ８０ ９０ ｌＯＯ ｌ１０ １２０ ｌ３０ 温度／℃ 图６微流量传感器电阻对间距和工作温度与灵敏度的关系 规定气流通过微流量传感器的一个方向为正，在不同工作 温度下，从正反两方向对传感器进行Ｎ：流量测试，ｕｖ审姆器鞲 ∞ 蝎 ¨ 结果如图７ 抱 所示。在不同工作温度下，输出信号与气体流量在０～１ ｍＬ／ ｒａｉｎ的测试范围内均成线性变化趋势，正反方向的灵敏度一致。 在工作温度为１２５℃时传感器灵敏度最高，为１７６ ｍＶ／（ｍＬ／ ｍｉｎ），输出信号噪声为０．５ ｍＶ，由此计算出传感器检测下限（３ 倍噪声等效气体流量）约为８．５ Ｉ／ｍｉｎ． 丑 羹 舞 图７微流量传感器在不同工作温度下的输出信号与流量的关系 ４光气动探测实验 将微流量传感器封装在容积分别为０．８ ｍＬ的前后腔室之 间，密闭腔室内充常压纯ＣＯ：气体，形成微流探测器。利用由 ＨｅｌｉｏＷｏｒｋｓ ＥＦ一８５３２脉冲电调制热辐射红外光源、１５ ｃｍ长内 壁镀金不锈钢气室和微流探测器组成ＮＤＩＲ气体测试系统进行 ＣＯ 气体检测实验。ＣＯ 浓度范围为７００—５ ０００ ｐｐｍ，背景气 体为Ｎ：。光源调制频率为１ Ｈｚ，微流探测器输出为同频率交流 信号，取其峰峰值作为探测信号。（１ ｐｐｍ＝１０ ） 图８（ａ）为ＣＯ 气体响应／恢复曲线。当样品气室内通入 ＣＯ：气体时，由于气体的红外吸收，入射到微流探测器的红外 光强变弱，使得探测信号减小并达到稳定值；样品气室通人Ｎ： 后，探测信号恢复到起始值。定义由于ＣＯ：气体通人而引起的 ｌＯＯ ２００ ３００ ４００ ５００ ６００ 时间／ｓ （ａ）ＣＯ２气体响应／恢复曲线 （ｂ）探测器响应值同ＣＯ２浓度关系 图８基于微流探测器的ＮＤＩＲ系统ＣＯ２气体检测结果 ５结束语 设计制备了基于ＭＥＭＳ技术的ＳｉＮｘ膜支撑Ｓａｎｄｗｉｃｈ结构 微流量传感器。Ｎ：流量测试结果表明，传感器在１２５ ｏＣ工作温 度下功耗约为４４ ｍｗ；理论检测下限约为８．５ Ｉ￣Ｌ／ｍｉｎ；０～ １ ｍＬ／ｍｉｎ范围内输出信号同流量成线性关系，正反向灵敏度相 同。光气动探测实验表明，该微流量传感器可用于ＣＯ：气体红 外吸收气动探测。 参考文献： ［１］ＪＯＳＥＰＨ Ｗ．６０ Ｙｅａｒｓ ｏｆ ＣＯ ａｎａｌｙｓｉｓ ｂｙ ＮＤＩＲ ｇａｓ ａｎｌａｙｚｅｒｓ．５０ｔｈ Ａｎ— ｎｕａｌ ＩＳＡ Ａｎａｌｙｓｉｓ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ—－５０ Ｙｅａｒｓ ｏｆ Ａｎａｌｙｔｉｃａｌ Ｓｏｌｕ・－ ｔｉｏｎｓ，Ｈｏｕｓｔｏｎ，ＴＸ，Ｕｎｉｔｅｄ ｓｔａｔｅｓ，２００５． ［２］ ＣＨＯＵ Ｊ．Ｃｈａｐｔｅｒ ５ Ｉｎｆｒａｒｅｄ Ｇａｓ Ｓｅｎｓｏｒｓ，ｉｎ Ｈａｚａｒｄｏｕｓ Ｇａｓ Ｍｏｎｉｔｏｓｒ： Ａ Ｐｒａｃｔｉｃａｌ Ｇｕｉｄｅ ｔｏ Ｓｅｌｅｃｔｉｏｎ，Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ ａｎｄ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ．１ ｓｔ ｅｄ． ［Ｓ．１．］：ＭｃＧｒａｗ—Ｈｉｌｌ Ｐｒｏｆｅｓｓｉｏｎａｌ，１９９９：５５～７２． ［３］ＪＡＳＥＫ Ｋ，ＭＡＺＵＲＥＫ Ｂ，ＰＡＳＴＥＲＮＡＫ Ｍ．Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ ｏｆ ａｎ ｏｐｔｏｐｎｅｕｍａｔｉｃ ｄｅｔｅｃｔｏｒ．Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ａｎｄ Ｑｕａｎｔｕｍ Ａｃｏｕｓｔｉｃｓ，２００７， ２８：１３１—１３６． ［４］ＪＡＳＥＫ Ｋ，ＢＵＤＺＹＮＳＫＩ Ｔ，ＳＴＲＹＳＺＡＫ Ｅ．Ｏｐｔｏｐｎｅｕｍａｔｉｃ ｄｅｔｅｃｔｏｒ ｗｉｔｈ ｐｌａｔｉｎｕｍ ｆｌｏｗ ｓｅｎｓｏｒ．Ａｃｔａ Ｐｈｙｓｉｃａ Ｐｏｌｏｎｉｃａ Ａ，２００９，１ １６（３）： ３２１—３２４． ［５］ＷＡＮＧ Ｇ Ｆ，ＣＨＥＮ Ｃ Ｃ，ＹＡＯ Ｙ Ｈ，ｅｔ ａ１．Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｅｄ ｔｈｅｒｍａｌ ｍａｓｓ ｆｌｏｗ ｓｅｎｓｏｒ ａｎｄ ｍｅｔｈｏｄｓ ｏｆ ｍａｋｉｎｇ ｔｈｅ ｓａｍｅ：ＵＳ， ７９０８０９６Ｂ２，２０１ １． （下转第６页） ６ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ ａｎｄ Ｓｅｎｓｏｒ Ｍａｔ．２０１３ 把图５中的可变电阻阻值调整至Ｒ＝４７ ｋ Ｑ，测量传感器 振子参数。在１０—５００ ｋＨｚ范围内，从小到大调整激励源信号 频率，当第一次出现ＣＨ：和ＣＨ。通道的波形位相一致时，得到 的数据为 ＝８３ ｋＨｚ， １９０ ｋＨｚ，Ｕ２ ：１／２ ＝１／２ ＝８０ Ｖ，Ｕ ＝１ Ｖ．第二次出 ∥ ｓ 现两通道波形位相一致时（如图８所示），得到的数据为， ＝ ＝８０ Ｖ，Ｕｌ ＝０．１ Ｖ． 图９夹持状态下振子谐振波形 与所处的夹持条件有关。 ４结束语 使用设计的传感器参数测量电路，直观、准确地测量了谐 振频率、反谐振频率、等效电阻和静态电容等参数。通过参数 测量发现，当传感器振子处于自由状态时，谐振频率、反谐振频 Ｉｔ－Ｓ 率数值不高，但两者差值较大，几乎达１００ ｋＨｚ，谐振态、反谐振 态的等效纯电阻阻值都不高；当传感器处于夹持状态时，谐振 图８自由状态下振子谐振波形 振子的反谐振频率为 ＝８３ ｋＨｚ，反谐振等效电阻： （８０—１）／Ｒ＝１／Ｒ Ｒ ＝Ｒ／７９＝４７ｋ／７９：５９５ Ｑ 频率、反谐振频率增高，反谐振的等效电阻值亦明显增大，达１２ ｋＱ；夹持状态下压电传感器静态等效电容值大于自由状态下压 电振子的静态等效电容值；使用高频变压器易于实现激励源和 传感器之间的阻抗直接匹配。 参考文献： ［１］郭璇，毕卫红．两相流电容层析成像中图像重建的研究．仪表技术 与传感器，２００９（１）：９７—９８． 振子的谐振频率为 ＝１９０ ｋＨｚ，谐振等效电阻： ７９．９／Ｒ＝０．１／Ｒ Ｒ ＝４．７ ｋｌ／／７９．９＝５９ Ｑ 当激励源频率在１９０ ｋＨｚ时，等效纯电阻为５９ Ｑ，数值较 小，此时频率即为谐振频率 ． ． ［２］ＣＨＥＮ Ｅ Ｊ，ＪＥＮＫＩＮＳ Ｗ Ｋ，Ｏ’ＢＲＩＥＮ Ｗ Ｄ．Ｔｈｅ ｉｍｐａｃｔ ｏｆ ｖａｒｉｏｕｓ ｉｍ— ａ ｎｇ ｐ￣ａｍｅｔｅｍ ｏｎ ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃ ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ ａｎｄ ｖｅｌｏｃｉｔｙ ｅｓｔｉｍａｔｅｓ． ＩＥＥＥ．Ｔｒａｎｓ ｏｎ Ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃｓ．Ｆｅｒｒｏｅｌｅｅｔｒｉｃｓ ａｎｄ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｃｏｎｔｍｌ， ３．２传感器参数测量结果 一 容Ｃｏ＝１．２ ｎＦ．在夹持条件下，传感器静态电容值变大，～一 分析这 在环境温度２０℃，测量压电传感器（夹持条件下）静态电 是由夹持条件和静态压力造成的。 把测量电路中的可变电阻阻值调至１ ｋｆｔ，激励信号频率在 １０—２００ ｋＨｚ范围内逐步增高，ＣＨ。通道电压波形位相落后于 ＣＨ：通道电压波形，说明传感器此时呈现电容性。 １９９４，４１（３）：２９３—３０１． ［３］ ＢＯＬＯＭＥＹ Ｊ．Ｒｅｃｅｎｔ Ｅｕｒｏｐｅａｎ ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｓ ｉｎ ａｃｔｉｖｅ ｍｉｃｒｏｗａｖｅ ｉｍａ－ ｌｆｉｎｇ ｆｏｒ ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ，ｓｃｉｅｎｔｉｉｃ，ａｎｄ ｍｅｄｉｆｃａｌ印ｐｌｉｃａｔｉｏｎ．ＩＥＥＥ．Ｔｒａｎｓ． Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｔｈｅｏｒｙ Ｔｅｃｈ，１９８９，３７（１２）：２１０９—２１ １７． ［４］ＭＯＬＹＮＥＵＸ Ｊ Ｅ ｎｄａ ＷＩＴｒＥＮ Ａ．Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ ｔｏｐｏｇｒａｐｈｉｃ ｉｍａｇｉｎｇ ｉｎ ａ ｍｏｎｏｓｔａｔｉｅ ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔ．ＩＥＥＥ．Ｔｒａｎｓ．Ｇｅｏｓｅｉ．Ｒｅｍｏｔｅ 激励信号频率从２００ ｋＨｚ再次逐渐逐步增高。在２０３ ｋＨｚ Ｓｅｎｓｉｎｇ，１９９３，３１（２）：５０７—５１１． 和５６８ ｋＨｚ时，两通道电压波形出现位相一致。信号源频率在 ２０３ ｋＨｚ时的同相位波形如图９所示。 ［５］ 翁洁知，惠晶．动态匹配超声波换能器谐振电感的方法与实现．电 力电子技术，２００７，４１（１２）：９６—９７． ［６］ 杨哲，鞠晓东．压电换能器阻抗匹配研究．高电压技术，２００７，３３ （１）：７０—７３． 在夹持条件下，计算得到传感器参数如下： ＝２０３ ｋＨｚ，Ｒ ＝４５５ Ｑ； ＝５６８ ｋＨｚ，Ｒ ＝１２ ｋｆｔ ［７］马雪花，蒋鑫元．压电换能器导纳的研究．大学物理实验，２００３，１６ （４）：１—４． 由以上参数计算发现，较自由状态下的传感器振子，传感 器（夹持状态下）的谐振频率、反谐振频率明显增高。该现象说 明谐振频率、反谐振频率不但为动态参数ｃ 、 。、Ｒ 的函数，还 作者简介：周明（１９６８一），副教授，博士，主要研究领域为检测技术与自 动化装置。 Ｅ—ｍａｉｌ：ｚｈｏｕ ｍ＠１２６．ｅｏｍ （上接第６页） ［６］ ＥＣＫＳＴＥＩＮ Ｇ，ＦＲＥＵＤＥＮＢＥＲＧ Ｏ，ＫＵＨＮＥ Ｉ．Ｓｉｌｉｃｏｎ－ｂａｓｅｄ ｍｉｃｒｏ— ｌｆｏｗ ｓｅｎｓｏｒｓ ｆｏｒ ｇａｓ ａｎａｌｙｓｉｓ ａｎｄ ｍｅｔｈｏｄ ｆｏｒ ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ：ＷＯ，２００９／ １５３０９９Ａ１，２００９． １３８４． ［９］ＶＩＬＡＲＥＳ Ｒ，ＨＵＮＴＥＲ Ｃ，ＵＧＡＲＴＥ Ｉ，ｅｔ １ａ．Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ａｎｄ ｔｅｓｔｉｎｇ ｏｆ ａ ＳＵ一８ ｔｈｅｒｍａｌ ｆｌｏｗ ｓｅｎｓｏｒ．Ｓｅｎｓｏｒｓ ａｎｄ Ａｃｔｕａｔｏｒｓ Ｂ，２０１０，１４７：４１ １ —４１７． ［７］ ＺＥＨＮＥＲ Ｖ Ｂ．Ｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ ａｎｄ ｎｏｉｓｅ ｉｎ ｔｈｅ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉｌａ－ｈｏｔ－ｗｉｒｅ・ａｎｅ— ｍｏｍｅｔｅｒ．Ｔｅｃｈｎｉｓｃｈｅｓ Ｍｅｓｓｅｎ，１９８１，４８（１１）：３６７—３７４． ［１０］ＸＩＥ Ｊ，ＳＨＩＨ Ｊ，ＴＡＩ Ｙ Ｃ．Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ．１６ｔｈ ＩＥＥＥ Ａｎｎｕｍ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｍｉｃｒｏ Ｅ． ［８］ＫＯＮＴＡＫＩＳ Ｋ，ＰＥＴＲＯＰＯＵＬＯＳ Ａ，ＫＡＬＴＳＡＳ Ｇ，ｅｔ ａ１．Ａ ｎｏｖｅｌ ｍｉ－ ｅｒｏｆｌｕｉｄｉｅ ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｏｒ ｆＰＣＢ—ｂａｓｅｄ ｄｅｖｉｃｅｓ：Ａｐｐｌｉｃａｔｉ０ｎ ｔｏ ｍｉｃｒｏｆｉｏｗ ｓｅｎｓｉｎｇ．Ｍｉｅｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，２００９，８６：１３８２— １ｅｅｔｏ Ｍｅｃｈａｒｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ，ＪＡＰＡＮ，２００３． 作者简介：赵永翠（１９８６一），硕士研究生，主要研究方向为红外气体传 感器。Ｅ—ｍａｉｌ：ｈｘｌ＠ｍａｉｌ．ｉｅ．ａｅ．ｃｎ
