新型纳米多孔薄膜及其制备方法[发明专利]
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专利名称：新型纳米多孔薄膜及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：戴松元,王孔嘉,曾隆月,张华申请号：CN03112669.3申请日：20030109公开号：CN1444292A公开日：20030924
摘要：本发明公了一种新型纳米多孔薄膜及其制备方法，是一种二氧化钛TiO、二氧化锡SnO、三氧化钨WO、氧化锌ZnO或氧化锆ZrO半导体材料薄膜，薄膜中有不规则孔。其制备方法，其特征在于包括以下步骤：1.制备半导体材料的纳米胶体溶液，2.加热，使胶体溶液变成有团聚颗粒沉淀的乳浊液，3.浓缩乳浊液，4.加入高分子表面活性剂并拌均成浆料，5.将浆料涂膜一次或多次，6.烧结。本发明通过制成多层膜，掺入大颗粒，光电转换效率提高10－30％。
申请人：中国科学院等离子体物理研究所
地址：230031 安徽省合肥市科学路10号
国籍：CN
代理机构：合肥华信专利事务所
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