您好,欢迎来到华拓网。
搜索
您的当前位置:首页一种波导垂直方向半径渐变型的微腔交错复用的光子晶体传感器阵列

一种波导垂直方向半径渐变型的微腔交错复用的光子晶体传感器阵列

来源:华拓网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:一种波导垂直方向半径渐变型的微腔交错复用的光

子晶体传感器阵列结构

专利类型:发明专利

发明人:田慧平,刘琦,周健,杨大全,黄利军,张攀,纪越峰申请号:CN201410199682.3申请日:20140513公开号:CN1040442A公开日:20140917

摘要:本发明涉及一种利用波导垂直方向半径渐变的光子晶体与四个微腔交错复用构成的传感器阵列的结构,属于光子晶体传感器技术领域。本发明首次将波导垂直方向半径渐变的光子晶体结构应用于传感器阵列结构的设计中,压缩了阵列结构的尺寸,为光子晶体传感器阵列的大规模集成提供了条件。本发明将波导垂直方向的空气孔半径从中间向两边渐变,在线缺陷波导两侧交错复用四个点缺陷微腔,在输出端的透射谱中可存在四个谐振下坠峰。每个微腔都具有高品质因数(~10)和高透射率。同时每个微腔可以实现单独的传感功能且互不干扰。本发明中涉及的光子晶体传感器阵列结构具有可扩展性,并且可以同时检测多种分析物。

申请人:北京邮电大学

地址:100876 北京市海淀区西土城路10号

国籍:CN

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示,请点此查看更多更全内容

Copyright © 2019- huatuo3.cn 版权所有 湘ICP备2023017654号-3

违法及侵权请联系:TEL:199 1889 7713 E-MAIL:2724546146@qq.com

本站由北京市万商天勤律师事务所王兴未律师提供法律服务