专利名称:具有特殊的表面处理和良好颗粒性能的硅溅射靶及
其制造方法
专利类型:发明专利
发明人:Y.元,E.Y.伊瓦诺夫,Y.刘,P.弗劳斯托,W.苗申请号:CN2012800872.5申请日:20121107公开号:CN103917685A公开日:20140709
摘要:提供一种包括Si靶和背衬板的溅射靶组件,其中所述背衬板结合到所述靶上。Si靶包括平滑的、镜面状的表面,并具有小于约15.0埃的表面粗糙度。提供用于制造硅靶/背衬板组件的方法,其中,加工硅坯件以从坯件表面去除划痕,产生靶上的镜面状的表面、以及15.0埃或更小的表面粗糙度。该方法包括第一和第二清洁步骤,第一步骤在划痕去除步骤之前进行,且第二步骤在划痕去除之后进行。
申请人:东曹SMD有限公司
地址:美国俄亥俄州
国籍:US
代理机构:北京市柳沈律师事务所
代理人:宋莉
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