复合材料和量子点发光二极管及其制备方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：复合材料和量子点发光二极管及其制备方法专利类型：发明专利

发明人：张滔,向超宇,李乐,朱佩,罗植天申请号：CN201810931287.8申请日：20180815公开号：CN110838551A公开日：20200225

摘要：本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种复合材料和量子点发光二极管及其制备方法。所述复合材料包括MoO纳米颗粒和分散在所述MoO纳米颗粒之间的Ag纳米线。本发明提供的由MoO纳米颗粒和Ag纳米线组成的复合材料，有效结合MoO和Ag纳米线的优点，可作为一种稳定性好、空穴注入能力强，且载流子迁移率高的空穴注入材料，该复合材料可显著提高QLED器件的发光效率，适用于不同发光波长的器件。

申请人：TCL集团股份有限公司

地址：516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区

国籍：CN

代理机构：深圳中一专利商标事务所

代理人：官建红

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