专利名称：基于局部离子注入实现电子状态调控的飞秒激光加
工方法
专利类型：发明专利发明人：姜澜,曹强,张家骏申请号：CN201410171600.4申请日：20140425公开号：CN103909352A公开日：20140709
摘要：本发明涉及一种基于局部离子注入实现电子状态调控的飞秒激光加工方法，该方法克服了飞秒激光加工宽禁带材料时加工效率有限，传统的材料改性方法不能精确调节激光加工中的电子状态，并且会改变材料整体物理性质的问题，使用高能聚焦离子注入技术和精确设计的掩模板或光刻胶掩模，完成对目标区域的局部离子注入，并通过精确调节离子的种类、浓度和分布，控制目标区域形成的纳米团簇的形态，从而调控其在与激光相互作用时的电子状态，实现对材料高效率、选择性加工的目的。本发明方法若大规模应用于生产，将会大幅度提高飞秒激光对材料的加工效率，产生巨大的经济效益。
申请人：北京理工大学
地址：100081 北京市海淀区中关村南大街5号
国籍：CN
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