磁阻抗传感器[发明专利]
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专利名称：磁阻抗传感器专利类型：发明专利
发明人：山本道治,长尾知彦,岩永吉广申请号：CN201780035624.9申请日：20170531公开号：CN109313242A公开日：20190205
摘要：本发明提供一种能够进一步提高外部磁场的测定精度的磁阻抗传感器。本发明的磁阻抗传感器具备磁阻抗元件(2)、检测电路(3)、感磁体用线路(4)及导电层用线路(5)。磁阻抗元件(2)具备感磁体(20)和与该感磁体(20)相邻的导电层(21)。感磁体(20)和导电层(21)中流通方向相反的电流。感磁体用线路(4)电性连接于感磁体(20)，导电层用线路(5)电性连接于导电层(21)。磁阻抗元件(2)的检测线圈(22)与检测电路(3)经由检测用导线(8(8a、8b))电性连接在一起。感磁体用线路(4)和导电层用线路(5)这2条线路(4、5)构成为至少一部分相邻而且流通方向相反的电流(I)。
申请人：爱知制钢株式会社
地址：日本国爱知县东海市荒尾町
国籍：JP
代理机构：上海华诚知识产权代理有限公司
代理人：肖华
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