发光半导体器件及其制造方法[发明专利]
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专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：发光半导体器件及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：阿德里安·瓦尔斯特,库恩·T·H·F·利登包姆申请号：CN91103462.5申请日：19910520公开号：CN1056771A公开日：19911204
摘要：一种包含具有第一导电型半导体基片的半导体 本体的发光半导体二极管，所述基片上至少存在第一 导电型过渡层、第一导电型第一涂层、活性层及第二 导电型第二涂层。其中过渡层含有砷化铝镓，铝含量 至少为属于活性层带隙的最小值。因此活性层在例 如650nm波长发射而半导体层仍具有良好晶体质量 和表面几何形状。当活性层为具有比较厚势阱层的 多量子势阱结构时它甚至在633nm发射。在本发明 方法中，利用比较高的生长温度和具有适当铝含量的 过渡层。
申请人：菲利浦光灯制造公司
地址：荷兰艾恩德霍芬
国籍：NL
代理机构：中国专利代理有限公司
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