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低介电常数绝缘膜及其形成方法,以及使用它的电路[发明专利]

来源:华拓网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:低介电常数绝缘膜及其形成方法,以及使用它的电路专利类型:发明专利发明人:近藤新二,横塚俊亮申请号:CN02122062.X申请日:20020530公开号:CN1388570A公开日:20030101

摘要:本发明提供具有低的相对介电常数、高机械强度和与基材有高粘附力的低介电常数绝缘膜,即具有从一个表面到另一表面的一维通道、且相对介电常数介于基质相的相对介电常数和1之间、从而适合用作层间膜的低介电常数绝缘膜,其中,通过从含有许多在基材上一维生长的柱形相和包围这些柱形相的基质相的复合膜中除去柱形相而获得此膜。

申请人:旭硝子株式会社

地址:日本东京

国籍:JP

代理机构:上海专利商标事务所

代理人:陈剑华

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