一种微构造硅雪崩二极管的制备方法[发明专利]

来源：华拓网

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专利名称：一种微构造硅雪崩二极管的制备方法专利类型：发明专利发明人：陈长水,韩田

申请号：CN201310173941.0申请日：20130513公开号：CN1032512A公开日：20130821

摘要：本发明公开了一种微构造硅雪崩二极管的制备方法，含以下步骤：（1）在单晶硅衬底上通过激光刻蚀掺杂硫元素，得到微构造硅；（2）在微构造硅表面涂覆一层SiO保护层；（3）在单晶硅衬底上部和下部分别引出阳极引线和阴极引线，制成微构造硅雪崩二极管。该方法制成的微构造硅雪崩二极管能制成盖革模式（G-APD）雪崩二极管阵列探测器件，该器件具有较高的响应度，单光子探测灵敏度和皮秒级时间分辨率突出，光谱响应范围可以拓展到中红外波段。

申请人：华南师范大学

地址：510006 广东省广州市广州大学城华南师范大学信息光电技术学院

国籍：CN

代理机构：广州知友专利商标代理有限公司

代理人：宣国华

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