一种基于Angelov模型的GaN晶体管建模方法及其装置[发明专利]
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专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：一种基于Angelov模型的GaN晶体管建模方法及其
装置
专利类型：发明专利发明人：唐瑜
申请号：CN202010910109.4申请日：20200902公开号：CN112069759A公开日：20201211
摘要：本发明实施例公开了一种基于Angelov模型的GaN晶体管建模方法及其装置，通过获取向GaN晶体管的漏极施加的漏极电压、向GaN晶体管的栅极施加的栅极电压、以及各漏极电压下与不同栅极电压一一对应的电流测量值；根据漏极电压、栅极电压和所述电流测量值，获取各漏极电压下的实际跨导曲线；基于GaN晶体管的Angelov模型，获取各漏极电压下的拟合跨导曲线；根据各漏极电压下的实际跨导曲线与拟合跨导曲线的差值，建立表格基模型；根据GaN晶体管的Anglov模型与表格基模型，建立GaN晶体管的仿真模型。本发明实施例能够提高电路设计的效率和准确性。
申请人：苏州英嘉通半导体有限公司
地址：215000 江苏省苏州市相城区青龙港路66号领寓商务广场706室
国籍：CN
代理机构：北京品源专利代理有限公司
代理人：孟金喆
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