专利名称：一种多量子阱结构及采用该结构的发光二极管专利类型：发明专利
发明人：刘志彬,陈沙沙,张东炎,刘晓峰,王笃祥申请号：CN201410110224.8申请日：20140324公开号：CN103872198A公开日：20140618
摘要：本发明提供了一种多量子阱结构及采用该结构的发光二极管，所述发光二极管的发光区具有至少一个量子阱结构，其结构包括第一保护层、在第一保护层上的第一过渡层、在第一过渡层上的量子阱层、在量子阱层上的第二过渡层、在第二过渡层上的第二保护层、以及在第二保护层上的量子垒层。
申请人：天津三安光电有限公司
地址：300384 天津市滨海新区华苑产业区海泰南道20号
国籍：CN
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